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332 層 NAND 閃存！鎧俠開啟 AI 存儲新紀(jì)元

by: admin 行業(yè)資訊 0 2025-03-07 15:05:51

2月24日消息，日本芯片制造商鎧俠（Kioxia）成功開發(fā)出全新的 NAND 閃存技術(shù)，這一成果堪稱行業(yè)內(nèi)的一顆重磅炸彈。該技術(shù)不僅擁有更高的存儲容量，接口速度更是提升了 33% ，預(yù)計(jì)在人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心將引發(fā)強(qiáng)勁需求。

性能大幅提升，對比優(yōu)勢顯著

與目前已量產(chǎn)的第八代 218 層技術(shù)相比，鎧俠此次推出的第十代 332 層創(chuàng)新技術(shù)堪稱飛躍。它將數(shù)據(jù)存儲位密度提高了 59%，存儲能力實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍。鎧俠與美國合作伙伴 Sandisk（閃迪）共同發(fā)布聲明稱，新產(chǎn)品在功耗方面表現(xiàn)同樣出色，將數(shù)據(jù)輸入功率效率提高 10%，輸出功率效率提高 34%，節(jié)能又高效。

日本生產(chǎn)待定，競爭態(tài)勢激烈

雖然該閃存確定將在日本生產(chǎn)，但具體時間表尚未公布。鎧俠正積極投身于激烈的市場競爭中，眾多競爭對手也在開發(fā) 300 層以上的閃存技術(shù)，這場技術(shù)競賽已然進(jìn)入白熱化階段。

存儲挑戰(zhàn)猶存，技術(shù)探索不止

用于長期存儲的 NAND 閃存通過分層堆疊存儲單元提升了性能，然而，不斷攀升的設(shè)備成本依舊是整個行業(yè)面臨的一大挑戰(zhàn)。對此，鎧俠也在積極探索新路徑，研究分別制造帶有存儲單元的晶圓和帶有控制器（負(fù)責(zé)管理讀寫操作）的晶圓，然后將它們粘合在一起的方法。

持續(xù)研發(fā)投入，第九代也在路上

此外，鎧俠并沒有停下研發(fā)的腳步，還在全力研發(fā)第九代閃存。據(jù)該公司透露，將把現(xiàn)有的存儲單元技術(shù)與新技術(shù)相結(jié)合，進(jìn)一步提高讀寫性能，為未來的市場競爭增添更多籌碼。

億配芯城（ICgoodFind）認(rèn)為，鎧俠的 NAND 閃存技術(shù)突破為 AI 數(shù)據(jù)中心存儲帶來了新的可能，也加劇了行業(yè)競爭。技術(shù)的進(jìn)步與成本挑戰(zhàn)并存，未來市場充滿變數(shù)。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關(guān)注行業(yè)動態(tài)，憑借自身在電子元器件領(lǐng)域的專業(yè)優(yōu)勢，為客戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)與產(chǎn)品，助力行業(yè)發(fā)展。

文章標(biāo)簽： NAND ，芯片

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