在當(dāng)前復(fù)雜的國際形勢(shì)下，工業(yè)半導(dǎo)體資料、芯片、器件及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的開展滯后將限制我國新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，進(jìn)而影響國度經(jīng)濟(jì)開展。
10月8日，工信部網(wǎng)站發(fā)布《關(guān)于政協(xié)十三屆全國委員會(huì)第二次會(huì)議第2282號(hào)(公交郵電類256號(hào))提案回答的函》，在回答函中，工信部就加快支持工業(yè)半導(dǎo)體芯片技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化自主開展的政策扶持、開放協(xié)作、關(guān)鍵技術(shù)打破、以及人才培育等四個(gè)方面做出了回答。
詳細(xì)回答如下：
一、關(guān)于制定工業(yè)半導(dǎo)體芯片開展戰(zhàn)略規(guī)劃，出臺(tái)扶持技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)開展政策的倡議
為推進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體資料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)開展，我部、開展變革委及相關(guān)部門，積極研討出臺(tái)政策扶持產(chǎn)業(yè)開展。
一是2014年國務(wù)院發(fā)布的《推進(jìn)綱要》中，曾經(jīng)將工業(yè)半導(dǎo)體芯片相關(guān)產(chǎn)品作為開展重點(diǎn)，經(jīng)過資金、應(yīng)用、人才等方面政策推進(jìn)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。
二是開展變革委、我部研討制定了集成電路相關(guān)規(guī)劃規(guī)劃，推進(jìn)包括工業(yè)半導(dǎo)體資料、芯片等產(chǎn)業(yè)構(gòu)成區(qū)域集聚、主體集中的良性開展場(chǎng)面。
三是依照國發(fā)〔2011〕4號(hào)文件的有關(guān)請(qǐng)求，對(duì)契合條件的工業(yè)半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、制造等企業(yè)的企業(yè)所得稅、進(jìn)口關(guān)稅等方面出臺(tái)了多項(xiàng)稅收優(yōu)惠政策，對(duì)相關(guān)范疇給予重點(diǎn)扶持。
四是盤繞能源、交通等國度重點(diǎn)工業(yè)范疇，充沛發(fā)揮相關(guān)行業(yè)組織作用，經(jīng)過舉行產(chǎn)用交流對(duì)接會(huì)、新產(chǎn)品推介會(huì)、發(fā)布典型應(yīng)用示范案例等方式，為我國工業(yè)半導(dǎo)體芯片企業(yè)和整機(jī)企業(yè)搭建交流協(xié)作平臺(tái)。
下一步，我部及相關(guān)部門將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體資料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)開展，依據(jù)產(chǎn)業(yè)開展形勢(shì)，調(diào)整完善政策施行細(xì)則，更好的支持產(chǎn)業(yè)開展。經(jīng)過行業(yè)協(xié)會(huì)等加大產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作力度，深化推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同，促進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體資料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應(yīng)用推行。
二、關(guān)于開放協(xié)作，推進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體芯片資料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)開展的倡議
集成電路是高度國際化、市場(chǎng)化的產(chǎn)業(yè)，資源整合、國際協(xié)作是快速提升產(chǎn)業(yè)開展才能的重要途徑。我部與相關(guān)部門積極支持國內(nèi)企業(yè)、高校、研討院所與先進(jìn)興旺國度增強(qiáng)交流協(xié)作。引進(jìn)國外先進(jìn)技術(shù)和研發(fā)團(tuán)隊(duì)，推進(jìn)包括工業(yè)半導(dǎo)體芯片、器件等范疇國際專家來華交流，支持海外高層次產(chǎn)業(yè)人才來華開展，提升我國在工業(yè)半導(dǎo)體芯片相關(guān)范疇的研發(fā)才能和技術(shù)實(shí)力。
下一步，我部和相關(guān)部門將繼續(xù)加快推進(jìn)開放開展。引導(dǎo)國內(nèi)企業(yè)、研討機(jī)構(gòu)等增強(qiáng)與先進(jìn)興旺國度產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)的戰(zhàn)略協(xié)作，進(jìn)一步鼓舞我國企業(yè)引進(jìn)國外專家團(tuán)隊(duì)，促進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體資料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)研發(fā)才能和產(chǎn)業(yè)才能的提升。
三、關(guān)于步步為營分階段打破關(guān)鍵技術(shù)的倡議
為處理工業(yè)半導(dǎo)體資料、芯片、器件、IGBT模塊等中心部件的關(guān)鍵性技術(shù)問題，我部等相關(guān)部門積極支持工業(yè)半導(dǎo)體資料、芯片、器件、IGBT模塊范疇關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。
一是2017年我部推出“工業(yè)強(qiáng)基IGBT器件一條龍應(yīng)用方案”，針對(duì)新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通三大范疇，重點(diǎn)支持IGBT設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊消費(fèi)及IDM、上游資料、消費(fèi)設(shè)備制造等環(huán)節(jié)，促進(jìn)IGBT及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的開展。
二是指導(dǎo)湖南省樹立功率半導(dǎo)體制造業(yè)創(chuàng)新中心建立，整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源，協(xié)同攻關(guān)工業(yè)半導(dǎo)體資料、芯片、器件、IGBT模塊范疇關(guān)鍵共性技術(shù)。
三是指導(dǎo)中國寬禁帶半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國IGBT技術(shù)與產(chǎn)業(yè)開展道路圖（2018-2030）》，引導(dǎo)我國IGBT行業(yè)技術(shù)晉級(jí)，推進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)開展。
下一步，我部將繼續(xù)支持我國工業(yè)半導(dǎo)體范疇成熟技術(shù)開展，推進(jìn)我國芯片制造范疇良率、產(chǎn)量的提升。積極部署新資料及新一代產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)，推進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體資料、芯片、器件、IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的開展。
四、關(guān)于高度注重人才隊(duì)伍的培育，出臺(tái)政策和措施樹立這一范疇長(zhǎng)期有效的人才培育方案的倡議
當(dāng)前，人才問題特別是高端人才團(tuán)隊(duì)短缺成為限制我國工業(yè)半導(dǎo)體資料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)可持續(xù)開展的關(guān)鍵要素，為此我部及相關(guān)部門積極推進(jìn)我國相關(guān)產(chǎn)業(yè)人才的培育。
一是我部、教育部共同推進(jìn)籌建集成電路產(chǎn)教交融開展聯(lián)盟，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的資源整合，推進(jìn)培育具有工程化才能的產(chǎn)業(yè)人才。
二是同時(shí)以集成電路為試點(diǎn)施行關(guān)鍵范疇中心技術(shù)緊缺博士人才自主培育專項(xiàng)，依據(jù)行業(yè)企業(yè)需求，依托高程度大學(xué)和國內(nèi)主干企業(yè)，針對(duì)性地培育一批高端博士人才。
三是教育部、我部等相關(guān)部門印發(fā)了《關(guān)于支持有關(guān)高校建立示范性微電子學(xué)院的通知》，支持26所高校建立或籌建示范性微電子學(xué)院，推進(jìn)高校與區(qū)域內(nèi)集成電路范疇主干企業(yè)、國度公共效勞平臺(tái)、科技創(chuàng)新平臺(tái)、產(chǎn)業(yè)化基地和中央政府等增強(qiáng)協(xié)作。
下一步，我部與教育部等部門將進(jìn)一步增強(qiáng)人才隊(duì)伍建立。推進(jìn)設(shè)立集成電路一級(jí)學(xué)科，進(jìn)一步做實(shí)做強(qiáng)示范性微電子學(xué)院，加快建立集成電路產(chǎn)教交融協(xié)同育人平臺(tái)，保證我國在工業(yè)半導(dǎo)體資料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)開展。
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