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韓法禁止DRAM和HBM員工跳槽到美光!

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3月11日,韓國媒體傳來了一則引人注目的消息。為了保護(hù)本國的半導(dǎo)體機(jī)密,韓國法院近日對SK海力士公司提出的一項(xiàng)競業(yè)條款禁令予以批準(zhǔn),禁止一位曾在SK海力士從事DRAM和高帶寬內(nèi)存(HBM)業(yè)務(wù)的員工跳槽至其主要競爭對手美光公司。

據(jù)消息人士透露,這一禁令是由首爾的一家法院在上個(gè)月正式批準(zhǔn)的。根據(jù)禁令內(nèi)容,該名前員工在7月26日之前被禁止加入美光并為其工作。如果違反這一禁令,該員工將面臨每日高達(dá)1000萬韓元的罰款。?

韓法禁止DRAM和HBM員工跳槽到美光.jpg

據(jù)了解,自2015年起,這位員工每年都會(huì)與SK海力士簽署競業(yè)禁止協(xié)議。協(xié)議中明確規(guī)定了禁止與競爭對手雇用的條款,并要求員工在離開公司前不得泄露任何商業(yè)機(jī)密。然而,這位員工似乎并未遵守這些規(guī)定,試圖跳槽至美光,從而引發(fā)了此次的禁令事件。

首爾法院在判決中表示,該名員工在SK海力士工作期間積累了大量的信息和技術(shù)能力,這些都有可能幫助美光在HBM行業(yè)中提升競爭力。為了保護(hù)SK海力士在HBM行業(yè)中的利益,法院決定判決禁止該員工跳槽至美光。

值得一提的是,SK海力士在HBM市場中占據(jù)著重要的地位。該公司以第4代HBM3芯片引領(lǐng)市場,其市場份額一直保持在領(lǐng)先地位。根據(jù)最近的一份報(bào)告,SK海力士在2023年的HBM市場中占據(jù)了53%的份額,遠(yuǎn)超其競爭對手三星電子和美光。

然而,隨著美光在2月底宣布已經(jīng)比競爭對手更快量產(chǎn)第五代HBM3E芯片,市場競爭的激烈程度進(jìn)一步加劇。三星電子也緊隨其后,表示已經(jīng)開發(fā)出具有12層DRAM芯片的第五代HBM芯片。而SK海力士也不甘示弱,預(yù)計(jì)將于今年上半年開始量產(chǎn)最新的HBM3E產(chǎn)品。

這一禁令事件不僅凸顯了半導(dǎo)體行業(yè)對于人才和技術(shù)的高度依賴,也反映了韓國在保護(hù)本國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方面的決心。隨著全球半導(dǎo)體市場的競爭日益激烈,各國都在努力加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)和人才培養(yǎng),以爭奪更多的市場份額。

對于SK海力士而言,此次禁令無疑為其在HBM市場中保持領(lǐng)先地位提供了一定的保障。然而,面對競爭對手的不斷進(jìn)步和市場的不斷變化,SK海力士仍需持續(xù)加大研發(fā)力度,不斷提升自身技術(shù)實(shí)力,以確保在未來市場競爭中保持優(yōu)勢地位。

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