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描述: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
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封 裝: SO-8
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技術參數/漏源極電阻:

0.03 Ω

?

技術參數/耗散功率:

1.3 W

?

技術參數/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術參數/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術參數/耗散功率(Max):

1.3W (Ta)

?

封裝參數/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數/引腳數:

8

?

封裝參數/封裝:

SO-8

?

外形尺寸/長度:

5 mm

?

外形尺寸/高度:

1.55 mm

?

外形尺寸/封裝:

SO-8

?

物理參數/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃

?

其他/產品生命周期:

Not Recommended

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

Lead Free

?

海關信息/ECCN代碼:

EAR99

?

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數據手冊
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SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY (威世) 類似代替 SOIC-8
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IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF Infineon (英飛凌) 功能相似 SOIC-8
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SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 Vishay Intertechnology 類似代替 SO-8
P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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