美光 12 層堆棧 HBM 強勢量產，英偉達率先獲供搶占先機

by: admin 行業(yè)資訊 0 2025-03-07 21:23:55

2月18日消息，美光科技即將開啟其 12 層堆棧高帶寬內存 (HBM) 的量產進程，并且將把產品供應給領先的AI 半導體公司英偉達。

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去年 9 月，美光成功完成了 12 層堆棧 HBM 的研發(fā)工作，并向英偉達等客戶展示了產品樣品。據 2 月份業(yè)內人士透露，14 日，美光首席財務官 Mark Murphy 在 Wolfe Research 主辦的一場活動中著重強調了該產品的優(yōu)勢。Mark Murphy 表示，美光的12 堆棧 HBM 產品相較于競爭對手的 8 堆棧產品，功耗降低了 20%，容量增加了 50%。他還進一步預測，今年下半年生產的 HBM 大部分將會是 12 堆棧產品。

HBM 技術：高性能計算的關鍵助力

HBM 技術的重要意義在于，它能夠將 DRAM 芯片進行垂直堆疊，進而大幅提高數(shù)據處理速度和帶寬。這一特性對于高性能計算任務而言至關重要，尤其是在應用于 AI 領域的 GPU 方面。隨著市場對于此類先進內存解決方案的需求日益增長，與英偉達簽訂供應合同，對于內存制造商來說，變得愈發(fā)關鍵。

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三星電子：技術落后，競爭地位受挑戰(zhàn)

美光科技憑借其 12 層堆棧 HBM 準備引領市場潮流，然而三星電子卻在這場競爭中顯得落后。三星電子最近才進入 8 疊層產品的小規(guī)模量產階段，并且尚未通過 12 疊層產品的測試。三星計劃在月底向英偉達發(fā)送 12 層堆棧 HBM 樣品產品，不過最終的交付還需得到批準。這種時間上的延遲，極有可能影響三星在市場上的競爭地位，畢竟在市場中，技術領先往往意味著市場份額和收入的提升。

SK 海力士與三星：全力推進 HBM4 開發(fā)

與此同時，據報道，半導體行業(yè)的另一個主要參與者 SK 海力士（SK Hynix）正在加速 HBM4 的開發(fā)進程，以滿足英偉達的需求，目標是在年內完成。而同樣尋求轉型的三星，也將年內量產 HBM4 作為目標，計劃應用 10 納米級第六代（1c）DRAM 技術。

下一代 HBM：行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的標志

Mark Murphy 還宣布，下一代第六代 HBM（HBM4）預計將于明年出貨，這充分彰顯了半導體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、快速發(fā)展的趨勢。隨著技術競爭的不斷加劇，能夠生產 12 層堆棧 HBM 以及更高級別的尖端內存解決方案的能力，將對美光、三星和 SK 海力士等公司的財務業(yè)績和市場地位產生顯著影響。

億配芯城（ICgoodFind）認為，在內存芯片領域的這場激烈競爭中，美光憑借 12 層堆棧 HBM 占據了領先優(yōu)勢，三星和 SK 海力士也在奮力追趕。行業(yè)的快速發(fā)展和技術的不斷創(chuàng)新，既帶來了機遇也充滿挑戰(zhàn)。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關注行業(yè)動態(tài)，為客戶提供優(yōu)質服務，助力其在市場變化中把握先機

文章標簽： HBM ，美光，英偉達