2月24日消息，半導(dǎo)體設(shè)備巨頭泛林集團(tuán) Lam Research強(qiáng)勢(shì)推出全球首型鉬（Mo）原子層沉積（ALD）設(shè)備 ——ALTUS Halo 。這一開(kāi)創(chuàng)性設(shè)備，一經(jīng)推出就已在邏輯半導(dǎo)體和3D NAND領(lǐng)域成功 “破冰”，獲得早期應(yīng)用，引發(fā)行業(yè)內(nèi)外高度關(guān)注。
鉬元素逆襲，ALTUS Halo 實(shí)力撐腰
在半導(dǎo)體布線工藝的漫長(zhǎng)發(fā)展歷程中，鎢曾憑借優(yōu)秀的溝槽填充能力 “稱(chēng)霸一時(shí)”。然而，隨著半導(dǎo)體制程不斷向更先進(jìn)的方向邁進(jìn)，鎢較高的電阻成為其發(fā)展瓶頸，劣勢(shì)日益明顯。此時(shí)，鉬憑借在溝槽填充和低電阻兩方面的表現(xiàn)，異軍突起，成為布線工藝的新希望。而ALTUS Halo就像是鉬元素的 “專(zhuān)屬使者”，能夠精準(zhǔn)地向半導(dǎo)體注入鉬。泛林集團(tuán)高管自豪表示：ALTUS Halo 融合了獨(dú)特的四站模塊架構(gòu)與 ALD 新技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)低電阻率鉬沉積，這無(wú)疑是滿足未來(lái)芯片發(fā)展（如千層 3D NAND、4F2 DRAM、先進(jìn) GAA 邏輯電路 ）的關(guān)鍵一步。
美光點(diǎn)贊，合作雙贏初顯成效
美光負(fù)責(zé) NAND 開(kāi)發(fā)的副總裁毫不吝嗇對(duì) ALTUS Halo 的稱(chēng)贊：“鉬金屬化的成功集成，讓美光在新一代 NAND 產(chǎn)品中成功實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的 I/O 帶寬和存儲(chǔ)容量。可以說(shuō)，沒(méi)有泛林的 ALTUS Halo 設(shè)備，就沒(méi)有鉬的順利量產(chǎn) ?！?這一番話，足以證明 ALTUS Halo 在實(shí)際應(yīng)用中的強(qiáng)大實(shí)力和重要價(jià)值。
同期發(fā)布蝕刻設(shè)備，技術(shù)版圖再擴(kuò)張
與此同時(shí)，泛林集團(tuán)還帶來(lái)了另一款重磅產(chǎn)品 —— 等離子體蝕刻設(shè)備Akira。它采用的固態(tài)等離子體源堪稱(chēng) “黑科技”，能夠讓等離子體響應(yīng)速度飆升 100 倍 ，支持超高精度蝕刻，復(fù)雜的 3D 結(jié)構(gòu)對(duì)它來(lái)說(shuō)也不在話下。Akira 的誕生，進(jìn)一步豐富了泛林集團(tuán)的技術(shù)版圖，為半導(dǎo)體制造提供了更多可能。
億配芯城（ICgoodFind）認(rèn)為，泛林集團(tuán)這兩款設(shè)備的推出，彰顯了其在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的強(qiáng)大創(chuàng)新實(shí)力，必將推動(dòng)整個(gè)行業(yè)邁向新的高度。億配芯城（ICgoodFind）也將持續(xù)緊盯行業(yè)動(dòng)態(tài)，憑借自身優(yōu)勢(shì)，為客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)的電子元器件產(chǎn)品和服務(wù)，助力行業(yè)持續(xù)繁榮發(fā)展。
