? ? ? 處置器龍頭英特爾(intel)于25日在韓國(guó)首爾舉行的全球意見(jiàn)首領(lǐng)聚會(huì)上，引見(jiàn)了一系列最新科技里程碑，并強(qiáng)調(diào)英特爾在以材料為中心的運(yùn)算時(shí)期中，將持續(xù)推進(jìn)存儲(chǔ)器和貯存開(kāi)展的投資與承諾。包括提供客戶共同的Intel Optane技術(shù)和Intel 3D NAND處理計(jì)劃，以便開(kāi)發(fā)云端、AI和網(wǎng)絡(luò)邊緣安裝。
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? ? ? 英特爾資深副總裁暨非揮發(fā)性存儲(chǔ)器處理計(jì)劃事業(yè)群總經(jīng)理Rob Crooke表示，這世界產(chǎn)生材料的速度越來(lái)越快，而企業(yè)關(guān)于如何有效地處置這些材料也顯得越來(lái)越無(wú)所適從。在眾多企業(yè)中，能勝出的主要區(qū)別就在于誰(shuí)可以從這些材料中獲取價(jià)值。這些任務(wù)將需求在存儲(chǔ)器和貯存層級(jí)構(gòu)造停止先進(jìn)創(chuàng)新，而這正是英特爾目前所推進(jìn)的工作。
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? ? ? 英特爾在此次活動(dòng)中提到以下最新科技里程碑，包括將在位于美國(guó)新墨西哥州Rio Ranch o的工廠拓展全新Intel Optane技術(shù)研發(fā)作產(chǎn)線的計(jì)畫(huà)，以及宣布代號(hào)為“Barlow Pass”的第2代Intel Optane DC持續(xù)性存儲(chǔ)器(Persistent Memory)，將搭載新一代Intel Xeon可擴(kuò)大處置器，估計(jì)將于2020年推出。
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? ? ? 同時(shí)，英特爾專為用于材料中心的SSD推出搶先業(yè)界的144層4階貯存單元(Quad Level Cell，QLC)NAND快閃存儲(chǔ)器，也估計(jì)將在2020年推出。
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? ? ? 英特爾進(jìn)一步指出，機(jī)器所產(chǎn)生的大量材料通常需透過(guò)即時(shí)剖析后，才干賦予材料價(jià)值。此項(xiàng)需求突顯了存儲(chǔ)器貯存層級(jí)構(gòu)造所產(chǎn)生的缺口，即DRAM容量缺乏、SSD則不夠快。而這些缺口可透過(guò)Intel Optane DC持續(xù)性存儲(chǔ)器來(lái)填補(bǔ)，就連更大量的材料集(data set)也可透過(guò)貯存介面銜接的Intel Optane技術(shù)來(lái)填補(bǔ)缺口。
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? ? ? 此外，硬盤(pán)速度越來(lái)越不能滿足以材料為中心的運(yùn)算環(huán)境，因而Intel?Optane技術(shù)與QLC NAND的組合可改善此情況。整體而言，Intel Optane是材質(zhì)、架構(gòu)、與效能兼具的特殊組合，是現(xiàn)有的存儲(chǔ)器與貯存技術(shù)無(wú)法相比的。
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? ? ? 最后，英特爾存儲(chǔ)器和貯存處理計(jì)劃正在輔佐包括微軟在內(nèi)的眾多客戶。目前微軟正在對(duì)其客戶端作業(yè)系統(tǒng)停止嚴(yán)重更新，以援助Intel Optane持續(xù)性存儲(chǔ)器所提供像是快速啟動(dòng)和游戲讀取等眾多新功用與特征。而英特爾同時(shí)也為重要企業(yè)客戶展現(xiàn)了新一代Intel Optane技術(shù)單連結(jié)埠固態(tài)硬盤(pán)，相關(guān)產(chǎn)品估計(jì)將于2020年上市。
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