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國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器芯片快速發(fā)展 勢(shì)必將打破壟斷局面

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目前在全球的消費(fèi)電子市場(chǎng)上,存儲(chǔ)器是名不虛傳的電子行業(yè)“原資料”。假如再將存儲(chǔ)器細(xì)分,又可分為DRAM、NAND Flash與Nor Flash三種。

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投資存儲(chǔ)芯片范疇1500億美圓,我國(guó)簡(jiǎn)直標(biāo)明了自給自足的決計(jì)。目前國(guó)內(nèi)已有三家企業(yè)曾經(jīng)進(jìn)入這一范疇,合肥長(zhǎng)鑫和長(zhǎng)江存儲(chǔ)分別在DRAM和NAND FLASH技術(shù)工藝的擴(kuò)展和開展。福建晉華曾經(jīng)是第三家,但由于美國(guó)商務(wù)部對(duì)其DRAM設(shè)備、器件的禁售,招致其暫墮入窘境。

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紫光集團(tuán)是中國(guó)開展存儲(chǔ)芯片的領(lǐng)頭羊,成立長(zhǎng)江存儲(chǔ),研發(fā)、生存NAND閃存,還有做DDR內(nèi)存的紫光國(guó)微等子公司。

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依據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)和合肥長(zhǎng)鑫的產(chǎn)品開展道路圖。到2020年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接騰躍到128層3D NAND的目的,并消弭從64層到128層的過(guò)程,且繞開主要NAND制造商消費(fèi)的96層閃存芯片。到2021年,分別在NAND FLASH和DRAM的產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)度上獲得打破,后者將完成17nm的研發(fā)。

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存儲(chǔ)器范疇經(jīng)過(guò)幾十年的開展,由全球六家公司控制,分別為三星,東芝,美光,西部數(shù)據(jù),SK海力士和英特爾。DRAM市場(chǎng)愈加集中,只要三家公司消費(fèi)簡(jiǎn)直一切的DRAM芯片。它們分別是三星,SK海力士和美光。

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反觀國(guó)內(nèi),長(zhǎng)江存儲(chǔ)著力于NAND FLASH的消費(fèi),合肥長(zhǎng)鑫努力于DRAM的消費(fèi)。

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除武漢和合肥外,我國(guó)另外三個(gè)城市也正在建立存儲(chǔ)器工廠。同時(shí),晉江也可能會(huì)開端DRAM消費(fèi),但是目前由于法律問(wèn)題,參與其中的公司福建晉華目前處于窘境。

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隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的加大,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)也將迎來(lái)加速開展,固然在短期內(nèi)難以撼動(dòng)三星、SK海士力以及鎂光三足鼎立的場(chǎng)面,但將來(lái)憑仗國(guó)內(nèi)龐大的內(nèi)需市場(chǎng)、優(yōu)秀的開發(fā)才能,以及具國(guó)際水準(zhǔn)的產(chǎn)能,必將在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有一席之地。

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