3月21日消息，在 “CFMS｜MemoryS 2025” 盛會上，思遠半導(dǎo)體攜 DDR5 PMIC、SSD PMIC 等解決方案驚艷亮相 。作為第一個實現(xiàn)純國產(chǎn)研發(fā)并量產(chǎn) DDR5 PMIC 的廠家，思遠半導(dǎo)體為 DDR5 PMIC 國產(chǎn)化進程踏出關(guān)鍵一步，有力地推動了國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)鏈的完善，提升了自主可控能力 ，在行業(yè)內(nèi)引發(fā)廣泛關(guān)注。
技術(shù)突破，成功打破國際壁壘
思遠半導(dǎo)體市場銷售部總監(jiān)劉江濤透露 ，過去十幾年思遠始終專注于電源相關(guān)產(chǎn)品研發(fā) 。去年下半年，針對國產(chǎn) DDR5 取得了重大突破，成功沖破國際廠商在技術(shù)、專利及市場方面設(shè)置的重重壁壘，成為國內(nèi)首家實現(xiàn) DDR5 PMIC 純自主研發(fā)并量產(chǎn)的企業(yè) ，為國產(chǎn)芯片在該領(lǐng)域贏得了寶貴的發(fā)展空間。
DDR5 采用 PMIC，優(yōu)勢盡顯
行業(yè)內(nèi)都知道，PMIC 是 DDR5 引入的極為重要的芯片 。在過去，DRAM 由主板直接供電，雖內(nèi)存設(shè)計相對簡單，但在實際應(yīng)用中卻帶來諸多不穩(wěn)定因素 。而 DDR5 采用 PMIC 后，優(yōu)勢顯著：它能提供更穩(wěn)定的供電，將主板和內(nèi)存之間的供電有效隔離，僅通過 PMIC 一個節(jié)點進行管理 。此外，PMIC 自身功能豐富，可精準(zhǔn)配置每個 power output 的電壓，具備寫保護、過載保護以及多種錯誤監(jiān)測機制，在保障供電穩(wěn)定安全的同時，還為用戶提供了更多定制化可能 。
產(chǎn)品實力強勁，市場反響良好
據(jù)介紹，思遠推出的 SY5888、SY5887 分別是用于 DDR5 SODIMM 和 UDIMM 的 PMIC 。它們集成了 3 個高效降壓 DC - DC 轉(zhuǎn)換器 SWA/SWB/SWC 和兩個 LDO，兩個 LDO 即 VOUT1_1.8V / VOUT2_1.0V，分別為 SPD 集線器和溫度傳感器供電 。其中，SY5888 支持內(nèi)存條超頻至 8000Mbps 以上，SY5887 滿足 JESD301 - 2 V1.0.3 規(guī)范 。隨著思遠 DDR5 PMIC 產(chǎn)品的推出，已在客戶端收獲積極反響，有望在國內(nèi)市場占據(jù)重要地位 。劉江濤稱，思遠 DDR5 PMIC 自去年下半年開始量產(chǎn)，已獲國內(nèi)外知名大客戶采購，其他存儲類電源產(chǎn)品也將陸續(xù)推向市場，思遠正憑借全套解決方案，向行業(yè)頭部地位發(fā)起沖擊 。
出貨量可觀，客戶資源豐富
作為國內(nèi)首家實現(xiàn) DDR5 PMIC 純自主研發(fā)并量產(chǎn)的企業(yè) ，近兩年來，思遠半導(dǎo)體累計芯片出貨量已突破 15 億顆 。合作客戶涵蓋三星、小米、OPPO、vivo 等全球知名品牌，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能穿戴、數(shù)據(jù)中心、新能源及存儲領(lǐng)域 。此次參展，思遠半導(dǎo)體重點展示的 DDR5 PMIC 及 SSD PMIC 解決方案，彰顯了國產(chǎn)芯片在存儲市場的技術(shù)話語權(quán) 。
持續(xù)布局，規(guī)劃未來發(fā)展藍圖
劉江濤表示，目前公司已量產(chǎn)消費類 TWS 耳機 PMIC 和消費級 SSD PMIC 等產(chǎn)品 。在企業(yè)級 SSD 產(chǎn)品應(yīng)用方面的 PMIC 也在積極規(guī)劃中，預(yù)計今年年底將啟動相關(guān)新項目 。未來，思遠半導(dǎo)體會依據(jù) DDR5 的性能需求，持續(xù)推出高品質(zhì)方案 。同時，作為 JEDEC 協(xié)會成員，思遠半導(dǎo)體能夠及時獲取最新標(biāo)準(zhǔn)架構(gòu)信息，第一時間開展相關(guān)研發(fā)工作，確保技術(shù)和產(chǎn)品始終與國際標(biāo)準(zhǔn)同步，持續(xù)為客戶提供前沿可靠的存儲電源管理解決方案 。
產(chǎn)業(yè)升級，思遠助力國產(chǎn)存儲騰飛
隨著國產(chǎn) DDR5 產(chǎn)業(yè)鏈的逐步打通，更多高性能國產(chǎn) DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品將涌入市場，DDR5 PMIC 也將迎來廣闊的發(fā)展空間和市場機遇 。在思遠半導(dǎo)體看來，2025 年是存儲產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵節(jié)點，產(chǎn)業(yè)競爭核心正從規(guī)模轉(zhuǎn)向技術(shù)驅(qū)動的價值創(chuàng)造 。思遠半導(dǎo)體深耕電源管理芯片領(lǐng)域十余年，憑借創(chuàng)新技術(shù)突破 DDR5 PMIC 等國產(chǎn)化技術(shù)瓶頸，以高精度、高集成度的產(chǎn)品矩陣為存儲設(shè)備及數(shù)據(jù)中心提供高效、穩(wěn)定的電源解決方案，推動國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)鏈向高端化邁進，實現(xiàn)自主可控 。
億配芯城（ICgoodFind）認為，思遠半導(dǎo)體在 DDR5 PMIC 領(lǐng)域的突破影響深遠。存儲產(chǎn)業(yè)格局因技術(shù)創(chuàng)新而改變。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關(guān)注動態(tài)，以專業(yè)優(yōu)勢為客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品與服務(wù)，助力行業(yè)在變革中前行。
