東芝認(rèn)為其3D NAND BiCS在非揮發(fā)性存儲器產(chǎn)品成為市場主流前,仍有很多創(chuàng)新研發(fā)空間。法新社
在日前于美國加州舉行的2018年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上,可見全球各主要NAND Flash制造商揭橥各自對下世代產(chǎn)品及架構(gòu)的產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖,一如預(yù)期,英特爾(Intel)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)及東芝(Toshiba)已在談?wù)換LC 3D NAND技術(shù)、發(fā)布96層3D NAND,并概述延伸至128層以上以進(jìn)一步提升密度的NAND Flash產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖,整體可見全球主要NAND Flash制造商持續(xù)推動技術(shù)演進(jìn),借以加速性能提升、提高密度及降低成本。
根據(jù)SearchStorage及富比士(Forbes)報導(dǎo),如東芝發(fā)表稱為「XL-Flash」的低延遲存儲器產(chǎn)品,是以東芝單層儲存單元(SLC)3D NAND獨家技術(shù)「BiCS」所開發(fā),能夠為多層單元(MLC)提供優(yōu)化。
東芝固態(tài)硬盤(SSD)應(yīng)用工程技術(shù)人員Shigeo Ohshima宣稱,XL-Flash具有極佳的低延遲表現(xiàn),寫入延遲表現(xiàn)比傳統(tǒng)TLC存儲器快上10倍。另外,在命令協(xié)定及界面方面完全兼容于傳統(tǒng)存儲器,且無需額外制程。Ohshima也表示,在ReRAM、MRAM這類非揮發(fā)性存儲器產(chǎn)品投入量產(chǎn)、成為主流應(yīng)用前,東芝仍有很多以3D NAND BiCS技術(shù)揮灑創(chuàng)新的空間。
Ohshima指出,XL-Flash與密度更高的QLC存儲器的結(jié)合,能夠處理廣泛范圍的應(yīng)用負(fù)載,并可較DRAM及硬盤(HDD)等傳統(tǒng)儲存架構(gòu)改善整體系統(tǒng)效能,XL-Flash與QLC存儲器之間的效能差距比DRAM與硬盤之間的差距小上許多,且即使XL-Flash比DRAM慢,但成本更低且可提供較高的容量。
業(yè)界認(rèn)為東芝與三星電子(Samsung Electronics)各自推XL-Flash及Z-NAND,是對英特爾與美光(Micron)共同開發(fā)的3D XPoint所做的回應(yīng)。Wikibon技術(shù)長David Floyer認(rèn)為,東芝XL-Flash及三星Z-NAND將不會達(dá)到Optane固態(tài)硬盤(SSD)效能水平,但仍可達(dá)到相當(dāng)接近水平。Objective Analysis半導(dǎo)體分析師Jim Handy認(rèn)為,XL-Flash與Z-NAND資料讀取速度會與Optane相近。
大陸存儲器廠商長江存儲在本屆峰會上,發(fā)表針對3D NAND打造的全新Xtacking技術(shù)架構(gòu),具備提高效能與位元密度潛力,希望以此產(chǎn)品挑戰(zhàn)既有全球NAND Flash制造商,宣稱能改善效率及I/O速度、縮減裸晶大小、增加位元密度以及縮短開發(fā)時間。長江存儲執(zhí)行長楊士寧宣稱,Xtacking可在沒有任何限制下達(dá)到堪比DDR4的I/O速度。
韓廠SK海力士在本屆峰會上,則發(fā)表以4D NAND來命名的該公司最新NAND Flash技術(shù),宣稱采用電荷捕獲型(CTF)設(shè)計,結(jié)合自身CTF設(shè)計與Periphery Under Cell(PUC)技術(shù),將外圍電路置放于陣列下方而非采圍繞方式,借以提高儲存密度并可降低成本。但實際上這非業(yè)界首度問世的技術(shù),英特爾與美光、三星都具備這類技術(shù),此即所謂的「CuA」設(shè)計,因此業(yè)界分析師認(rèn)為取名4D NAND只是一種營銷噱頭。