3月27日消息，位于莫斯科的澤列諾格勒納米技術(shù)中心傳來重磅消息：俄羅斯第一臺 350nm 光刻機已完成開發(fā)，并且做好了批量生產(chǎn)的準(zhǔn)備 。這一成果的誕生，標(biāo)志著俄羅斯半導(dǎo)體制造領(lǐng)域邁出了關(guān)鍵一步。
130nm 光刻機研發(fā)推進(jìn)，2026 年目標(biāo)明確
澤列諾格勒納米技術(shù)中心并未停下腳步，目前正依據(jù)第二份國家合同，全力推進(jìn) 130nm 光刻機的開發(fā)工作 。按照計劃，這款光刻機預(yù)計在 2026 年完成 ，屆時俄羅斯半導(dǎo)體制造能力有望進(jìn)一步提升。
莫斯科市長盛贊：俄羅斯躋身光刻技術(shù)強國之列
莫斯科市長 Sergei Sobyanin 興奮地表示：“世界上只有不到 10 個國家 / 地區(qū)能夠制造這種半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備?，F(xiàn)在，俄羅斯成為其中之一 。” 這一成就對于俄羅斯來說意義非凡，彰顯了其在半導(dǎo)體制造核心技術(shù)上的突破。
技術(shù)創(chuàng)新：固態(tài)激光器引領(lǐng)俄羅斯光刻新方向
Sergei Sobyanin 指出，俄羅斯的光刻系統(tǒng)與外國同行有著顯著差異 。其首次采用固態(tài)激光器作為光源 ，這種光源具備功率強大、節(jié)能、壽命更長、光譜更窄等諸多優(yōu)勢 ，為俄羅斯光刻機賦予了獨特的技術(shù)競爭力。
光刻技術(shù)：微芯片制造的核心環(huán)節(jié)
在微芯片制造過程中，光刻技術(shù)至關(guān)重要 。它涉及通過分層工藝在晶圓上創(chuàng)建數(shù)十億個微小的電子元件 ，具體是將電路圖案從掩模（模板）轉(zhuǎn)移到晶圓上 ，為后續(xù)的刻蝕和沉積步驟奠定基礎(chǔ)，從而構(gòu)建出芯片 。可以說，光刻機是整個芯片制造流程的核心工具，其性能直接決定了晶圓廠的可行性和技術(shù)范圍 。
光刻機類型解析：DUV 與 EUV 的差異
光刻機主要分為 DUV（深紫外）和 EUV（極紫外）兩種類型 。DUV 和 EUV 設(shè)備的光源和波長各不相同 ，這也直接影響了它們所能創(chuàng)建的芯片特征的大小和復(fù)雜性 。DUV 設(shè)備使用準(zhǔn)分子激光器，如 248nm 的氟化氪（KrF）或 193nm 的氟化氬 （ArF）來發(fā)射深紫外光；而 EUV 設(shè)備則采用激光產(chǎn)生等離子體（LPP）系統(tǒng) ，通過 CO?激光器噴射錫液滴，產(chǎn)生波長為 13.5nm 的極紫外光 。與它們不同，俄羅斯開發(fā)的光刻機采用固態(tài)激光器，走出了一條獨具特色的技術(shù)路線 。固態(tài)激光器在二極管泵浦下，光學(xué)轉(zhuǎn)換效率高達(dá) 20% - 30% ，遠(yuǎn)高于 CO?等氣體激光器 10% - 15% 的效率 。并且，固態(tài)激光器以摻雜固體（晶體 / 玻璃）作為增益介質(zhì)，有別于氣體激光器的氣態(tài)介質(zhì) 。
全球光刻格局：俄羅斯嶄露頭角
正如莫斯科市長所說，目前世界上僅有少數(shù)國家 / 地區(qū)具備制造光刻機的能力，包括荷蘭、日本、美國、中國以及如今新加入的俄羅斯 。荷蘭在全球光刻機領(lǐng)域占據(jù)著領(lǐng)導(dǎo)地位，ASML 能夠為全球市場批量生產(chǎn) DUV 和 EUV 光刻機 。雖然其他國家 / 地區(qū)有能力制造 DUV（28nm 及以上）設(shè)備 ，但在 EUV（7nm 及以下）系統(tǒng)生產(chǎn)方面，ASML 處于壟斷地位 。俄羅斯此前有少數(shù)公司依靠進(jìn)口 DUV 設(shè)備運營晶圓廠 ，其中主要參與者 Mikron（總部位于莫斯科附近的澤列諾格勒）能夠批量生產(chǎn) 90nm 芯片 ，并在 2020 年獲得 65nm 工藝資格 ，不過其產(chǎn)能情況尚不明確 。如今，俄羅斯自主研發(fā)的光刻機取得成果，有望改變自身在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位 。
俄羅斯芯片制造目標(biāo)：2027 年實現(xiàn) 28nm，2030 年達(dá)到 14nm
俄羅斯在半導(dǎo)體領(lǐng)域有著明確的目標(biāo) ，計劃到 2027 年實現(xiàn) 28nm 本地芯片制造 ，到 2030 年實現(xiàn) 14nm 本地芯片制造 。2024 年 10 月的報道顯示，俄羅斯已撥款超過 2400 億盧布（25.4 億美元） ，用于支持一項大規(guī)模計劃，旨在到 2030 年取代外國芯片制造設(shè)備 。該計劃涉及啟動 110 個研發(fā)（R&D）項目 ，力求減少對進(jìn)口晶圓設(shè)備的依賴 。如今 350nm 光刻機的成功開發(fā)，無疑為俄羅斯實現(xiàn)這些目標(biāo)奠定了重要基礎(chǔ) 。
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